Polprzewodniki_Nowoczesne_rozwiazania_w_ukladach_scalonych_polprz.pdf

(1487 KB) Pobierz
Tytuł oryginału: Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits
Tłumaczenie: Konrad Matuk
ISBN: 978-83-283-2090-1
Authorized translation from the English language edition, entitled:
MODERN SEMICONDUCTOR DEVICES FOR INTEGRATED CIRCUITS, ISBN 0136085253; by
Chenming Calvin Hu; published by Pearson Education, Inc, publishing as Prentice Hall.
Copyright © 2010 Pearson Higher Education.
All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,
electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage retrieval system,
without permission from Pearson Education, Inc.
Polish language edition published by HELION S.A., Copyright © 2016.
Wszelkie prawa zastrzeżone. Nieautoryzowane rozpowszechnianie całości lub fragmentu niniejszej
publikacji w jakiejkolwiek postaci jest zabronione. Wykonywanie kopii metodą kserograficzną,
fotograficzną, a także kopiowanie książki na nośniku filmowym, magnetycznym lub innym powoduje
naruszenie praw autorskich niniejszej publikacji.
Wszystkie znaki występujące w tekście są zastrzeżonymi znakami firmowymi bądź towarowymi ich
właścicieli.
Autor oraz Wydawnictwo HELION dołożyli wszelkich starań, by zawarte w tej książce informacje były
kompletne i rzetelne. Nie biorą jednak żadnej odpowiedzialności ani za ich wykorzystanie, ani za związane
z tym ewentualne naruszenie praw patentowych lub autorskich. Autor oraz Wydawnictwo HELION nie
ponoszą również żadnej odpowiedzialności za ewentualne szkody wynikłe z wykorzystania informacji
zawartych w książce.
Wydawnictwo HELION
ul. Kościuszki 1c, 44-100 GLIWICE
tel. 32 231 22 19, 32 230 98 63
e-mail:
helion@helion.pl
WWW:
http://helion.pl
(księgarnia internetowa, katalog książek)
Drogi Czytelniku!
Jeżeli chcesz ocenić tę książkę, zajrzyj pod adres
http://helion.pl/user/opinie/polprz
Możesz tam wpisać swoje uwagi, spostrzeżenia, recenzję.
Printed in Poland.
•
Kup książkę
•
Poleć książkę
•
Oceń książkę
•
Księgarnia internetowa
•
Lubię to! » Nasza społeczność
Spis tre ci
Przedmowa
O autorze
11
13
1
PÓ PRZEWODNIKI: ELEKTRONY I DZIURY W PÓ PRZEWODNIKACH
15
1.1. Krystaliczna struktura krzemu 16
1.2. Model wi za elektronów i dziur 18
1.3. Energetyczny model pasmowy 22
1.4. Pó przewodniki, izolatory i przewodniki 27
1.5. Elektrony i dziury 29
1.6. G sto stanów 32
1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego 33
1.8. Koncentracje elektronów i dziur 37
1.9. Ogólne zagadnienia dotycz ce parametrów n i p 43
1.10. Koncentracje no ników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach
1.11. Podsumowanie rozdzia u 47
Zadania 49
Bibliografia 54
Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 55
47
2
RUCH I REKOMBINACJA ELEKTRONÓW I DZIUR
2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
57
Ruch cieplny 57
Dryft 60
Pr d dyfuzyjny 69
Zale no pomi dzy wykresem poziomów energetycznych a napi ciem i polem
elektrycznym 71
Kup książkę
Poleć książkę
6
Spis tre ci
2.5. Zale no Einsteina pomi dzy D i
71
2.6. Rekombinacja elektron-dziura 74
2.7. Generacja termiczna 77
2.8. Quasi-równowaga i poziomy quasi-Fermiego 77
2.9. Podsumowanie rozdzia u 79
Zadania 81
Bibliografia 84
Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 84
3
TECHNOLOGIA PRODUKCJI KOMPONENTÓW PÓ PRZEWODNIKOWYCH
3.1. Wst p do produkcji komponentów 86
3.2. Utlenianie krzemu 88
3.3. Litografia 89
3.4. Transfer wzorów — trawienie 96
3.5. Domieszkowanie pó przewodnika 99
3.6. Dyfuzja domieszek 101
3.7. Osadzanie cienkich warstw 105
3.8. Proces tworzenia z czy pomi dzy komponentami 110
3.9. Testowanie, monta i kwalifikacja 113
3.10. Podsumowanie rozdzia u — przyk adowy proces produkcji komponentu
Zadania 116
Bibliografia 120
Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 121
85
114
4
Z
Cz
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.6.
4.7.
4.8.
4.9.
4.10.
4.11.
CZE P-N I Z
I Z cze p-n
CZE METAL-PÓ PRZEWODNIK
123
123
Zagadnienia teoretyczne zwi zane ze z czem p-n 124
Model warstwy zubo onej 128
Z cze p-n i polaryzacja zaporowa 133
Charakterystyki pojemno ciowo-napi ciowe 134
Przebicie z cza p-n 136
Iniekcja no ników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi-równowagi
brzegowej 141
Równanie ci g o ci pr du 144
No niki nadmiarowe w z czu p-n w polaryzacji przewodzenia 146
Charakterystyki pr dowo-napi ciowe diody pó przewodnikowej 150
Magazynowanie adunku 154
Ma osygna owy model diody 155
Kup książkę
Poleć książkę
Spis tre ci
7
Cz
4.12.
4.13.
4.14.
4.15.
II Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych
156
164
Ogniwa fotowoltaiczne 156
Diody elektroluminescencyjne i o wietlenie pó przewodnikowe
Diody laserowe 170
Fotodiody 175
Cz
4.16. Bariera Schottky’ego 176
4.17. Teoria emisji termoelektronowej 181
4.18. Diody Schottky’ego 182
4.19. Zastosowanie diod Schottky’ego 184
4.20. Tunelowanie kwantowo-mechaniczne 186
4.21. Kontakt omowy 186
4.22. Podsumowanie rozdzia u 190
Zadania 194
Bibliografia 204
Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 205
III Z cze metal-pó przewodnik
176
5
KONDENSATOR MOS
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.
5.8.
207
Warunek i napi cie pasma p askiego 208
Akumulacja powierzchniowa 210
Zubo enie powierzchni 212
Warunek progowy i napi cie progowe 213
Silna inwersja poza warunkami progowymi 216
Charakterystyki pojemno ciowo-napi ciowe kondensatora MOS 220
adunek tlenku — wp yw na U
fb
i U
t
225
Zubo enie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane
wzrostem T
ox
228
5.9. Grubo i efekt kwantowo-mechaniczny warstw inwersji i akumulacji 230
5.10. Matryca CCD i CMOS 233
5.11. Podsumowanie rozdzia u 240
Zadania 243
Bibliografia 252
Publikacje ogólnie zwi zane z tematyk rozdzia u 252
6
TRANZYSTOR MOS
6.1.
6.2.
6.3.
253
Tranzystory MOSFET — wprowadzenie 253
Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) 254
Ruchliwo ci powierzchniowe i uk ady FET charakteryzuj ce si du
mobilno ci
260
Kup książkę
Poleć książkę

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika:

Zgłoś jeśli naruszono regulamin